双V型半导体桥电阻计算方法研究

• 作者: 杨贵丽 焦清介
• 来源期刊: 火工品
• 关键词: 半导体桥 电阻 几何尺寸 电阻率 掺杂浓度 温度
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TJ450.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-1480.2009.03.001

摘要

为从理论上得出半导体桥电阻的计算方法,首先在电阻率一定的条件下,基于电阻的基本表达式,用积分的方法得出电阻关于几何尺寸和形状的计算公式.然后基于半导体物理理论,对电阻率和掺杂浓度以及温度之间的关系进行了分析,建立了对于一定掺杂浓度的半导体桥电阻率随温度变化的模型,并得出电阻率随温度变化的简化计算方法.此研究对于半导体桥换能元电阻的设计具有理论和实际意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	焦清介	北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室	178	1313	16.0	21.0
2	杨贵丽	北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室	2	20	2.0	2.0