射频磁控反应溅射氧化硅薄膜微结构和电击穿场强研究

• 作者: 蒋纯志 邓海明 金桂
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 射频磁控反应溅射 表面形貌 电击穿场强
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 20-22,26
• 页数: 4页
• 分类号: TB43|TM215.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2009.03.005

摘要

采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响.结果表明:薄膜的主要成分为氧化硅(SiOx);退火前后,薄膜的表面粗糙度由原来的1.058nm下降至0.785nm,峰与谷之间的高度差由原来的7.414nm降低至5.046nm;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增大后减小,通过800℃/100 s的快速热退火,在各种射频功率下制备的薄膜电击穿场强都有明显升高.薄膜的绝缘性能显著增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金桂	湘南学院物理系	33	131	7.0	10.0
2	蒋纯志	湘南学院物理系	33	110	7.0	9.0
3	邓海明	湘南学院物理系	10	28	3.0	5.0