SiO2薄膜制备的现行方法综述

• 作者: 曾其勇 郑晓峰
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化硅 薄膜 制备方法 综述
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 36-40
• 页数: 5页
• 分类号: TB43|O484
• 字数: 4182字
• 语种: 中文

摘要

在导电基体上制作薄膜传感器的过程中,需要在基体与薄膜电极之间沉积一层绝缘膜.二氧化硅薄膜具有良好的绝缘性能,并且稳定性好,膜层牢同,长期使用温度可达1000℃以上,应用十分广泛.通常制备SiO2薄膜的现行方法主要有磁控溅射、离子束溅射、化学气相沉积、热氧化法、凝胶-溶胶法等.本文系统阐述了各种方法的基本原理、特点及适用场合,并对这些方法做了比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾其勇	中国计量学院质量与安全工程学院	23	110	6.0	9.0
2	郑晓峰	中国计量学院质量与安全工程学院	2	32	2.0	2.0