结构参数对GaN肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计

• 作者: 周梅 赵德刚
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 紫外探测器 器件设计
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 824-831
• 页数: 8页
• 分类号: TN364
• 字数: 6910字
• 语种: 中文

摘要

研究了GaN肖特基结构(n~--GaN /n~+-GaN)紫外探测器的结构参数对器件性能的影响机理.模拟计算结果表明:提高肖特基势垒高度和减小表面复合速率,不仅可以增加器件的量子效率,而且可以极大地减小器件的暗电流;适当地增加n~--GaN层厚度和载流子浓度可以提高器件的量子效率,但减小n~--GaN层的载流子浓度却有利于减小器件的暗电流.我们针对实际应用的需要,提出了一个优化器件结构参数的设计方案,特别是如果实际应用中对器件的量子效率和暗电流都有较高的要求,肖特基势垒高度应该≥0.8 eV,n~--GaN层的厚度≥200 nm,载流子浓度1×10~(1)7 cm~(-3) 左右,表面复合速率＜1×10~7 cm/s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
2	周梅	中国农业大学理学院应用物理系	22	69	5.0	7.0