微光像增强器信噪比与MCP电压关系

• 作者: 刘术林 孙建宁 董煜辉 邓广绪
• 来源期刊: 应用光学
• 学科: 工学
• 关键词: 微通道板 微光像增强器 信噪比 噪声因子
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 微光夜视器件与成像
• 页码范围: 650-653
• 页数: 4页
• 分类号: TN144
• 字数: 2103字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2082.2009.04.023

摘要

为了揭示微通道板电压的变化对微光像增强器信噪比的影响,进一步优化像增强器的性能,分别测试出超二代和三代微光像增强器的信噪比随微通道板的电压变化曲线,前者在微通道板电压为600 V～800 V时,信噪比单调增加到25.9,在800 V～900 V时,信噪比在25上下震荡并呈下降趋势,在900 V～1 000 V时,迅速下降到21.8;而后者当MCP电压在800 V～1 000 V时,单调增加到27.87,在800 V～1 180 V时,则在26.61～28.66之间震荡.通过对微通道板噪声因子的理论分析,指出进一步降低微通道板噪声因子,改善微光像增强器信噪比的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘术林		3	18	3.0	3.0
2	董煜辉		1	4	1.0	1.0
3	孙建宁		1	4	1.0	1.0
4	邓广绪		3	18	3.0	3.0