氧对于在Ar/O氛围下用近空间升华法制备的CdS薄膜的影响

• 作者: 冯良桓 卢铁城 夏庚培 张静全 蔡亚平 郑家贵 黎兵
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: CdS多晶薄膜 近空间升华法 窗口层 界面
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6465-6470
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.09.095

摘要

采用近空间升华法(CSS)在氩/氧气氛中制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜.利用XRD,XPS,AFM,UV-VIS光谱和四探针技术等测试和分析手段系统研究了氧对薄膜的成分、结构、光学和电学等性质的影响.结果表明,用近空间升华法制备的CdS薄膜具有六方相结构,膜层致密、均匀,平均晶粒大小约为40 nm,富硫.氧掺入后部分与镉生成氧化镉,并随着氧含量的增加,薄膜的成分有趋于化学计量比的趋势,光学带隙加宽,光暗电导比增加.此外,还利用扫描电镜(SEM)观察了CdS/CdTe断面结合光谱响应(QE)的结果讨论了氧对CdS/CdTe界面互扩散的影响.发现,随着CdS薄膜制备气氛中氧分压的升高,CdS/CdTe界面的互扩散程度降低,有利于提高器件在500-600 nm波长范围内的光谱响应.认为,氧含量的增加不但使CdS薄膜在光伏应用方面的质量得到改善,而且CdTe太阳电池器件中的CdS/CdTe界面也得到了优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黎兵	四川大学太阳能材料与器件研究所	44	264	8.0	15.0
2	冯良桓	四川大学太阳能材料与器件研究所	78	424	10.0	17.0
3	蔡亚平	四川大学太阳能材料与器件研究所	33	302	10.0	16.0
4	郑家贵	四川大学太阳能材料与器件研究所	49	317	9.0	15.0
5	张静全	四川大学太阳能材料与器件研究所	69	285	8.0	15.0