二维点缺陷声子晶体中缺陷填充率对能带的影响

• 作者: 吴福根 彭程万 钟兰花
• 来源期刊: 应用声学
• 学科: 物理学
• 关键词: 声子晶体 缺陷态 能带
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 140-146
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 2956字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-310X.2009.02.012

摘要

用超元胞的平面波展开法,计算了存在点缺陷的二维水/水银声子晶体的能带结构和压强分布.通过改变5×5超元胞中心圆柱体的半径析引入缺陷,发现缺陷填充率(F<,d>)小于或大于正常柱体填充率(F<,0>)一定数值时(如当F<,0>=0.35,F<,d>＜0.10或F<,d>＞0.50),都将出现缺陷态,且F<,d>对缺陷态的频率有重要影响.还比较了当F<,d>=0.03和F<,d>=0.90两种情况下缺陷态的压强分布,计算结果表明压强分布均具有局域性,F<,d>的大小对单模缺陷态的局域程度有影响,而对二重简并模无显著影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴福根	广东工业大学实验教学部	85	662	14.0	22.0
2	钟兰花	湛江师范学院物理科学与技术学院	5	19	2.0	4.0
3	彭程万	湛江师范学院物理科学与技术学院	1	12	1.0	1.0