外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响

• 作者: 王光伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属诱导横向结晶 电场增强金属诱导横向结晶 扩散 固相反应 晶粒生长 交流电场
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 107-112
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055|TN304.8
• 字数: 5047字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.02.002

摘要

综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理.研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等.结果表明,相对于无电场时,适当3强度的电场可显著加快金属诱导横向结晶的速率,场强超过某一临界值则降低该速率,并基于电迁移效应作了较好的解释.对Cu诱导a-Si薄膜横向结晶,在同样条件下,直交流混合电场比单纯的直流电场能引发更高的结晶速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王光伟	天津工程师范大学电子工程系	18	78	5.0	8.0