坩埚下降法生长钨酸镉单晶的光学均匀性

• 作者: 徐方 方奇术 杨培志 肖华平 蒋成勇 陈红兵
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 钨酸镉 晶体生长 坩埚下降法 光学均匀性
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1036-1040
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 3209字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2009.01036

摘要

采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征,分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化,研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律. 结果表明,CdWO4单晶生长过程存在比较严重的熔体挥发,且熔体中CdO比WO3更加易于挥发;CdWO4单晶的化学组成存在不同程度缺Cd的特征,初期生长晶体的n(Cd)/n(W)比相对高,后期生长晶体的n(Cd)/n(W)比持续减小,相应地单晶在380～550nm区域的光透过率略有降低,X射线激发发光强度有所降低,且发光波长出现略微红移的趋势. 通过提高多晶料纯度、减少熔体挥发和氧气氛退火处理,可以改善坩埚下降法生长CdWO4单晶的光学均匀性.