TEXTOR托卡马克上磁涨落水平的研究

• 作者: 刘娇娇 巨洪军 李梅 杨鑫 梁红飞 石跃江 竹锦霞 蔡武德 陈忠勇 高天梅
• 来源期刊: 云南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 逃逸电子 磁涨落
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 50-53
• 页数: 4页
• 分类号: O453
• 字数: 679字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9793.2009.04.012

摘要

利用逃逸电子的输运来诊断TEXTOR托卡马克上等离子体大破裂下的磁涨落水平.TEXTOR托卡马克采用包含产生逃逸影响的零维模型模拟了等离子体大破裂下的电流演化.根据模型参数-逃逸电子的损失速率,我们得到了TEXTOR托卡马克上的磁涨落水平.该磁涨落水平大约在10-5量级,磁涨落水平随注入等离子体中原子数目的增加而增强.