退火气氛对Ge MOS电容电特性的影响

• 作者: 徐静平 邹晓
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 锗金属氧化物半导体 退火气氛 氧化钛铪 界面层
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 84-86
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.5|TN386.1
• 字数: 2535字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2009.01.028

摘要

采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数k栅介质薄膜,研究了不同气体(N2、NO、N2O)淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体(MOS)电容性能的影响.透射电子显微镜和电特性测量表明,湿N2退火能有效抑制界面层的生长,提高界面质量,改善栅极漏电流特性,从而得到最优的器件性能,即Al/HfTiO/n-Ge MOS电容的栅介质等效氧化物厚0.81 nm,k=34.5,带隙中央界面态密度为2.4×1011cm-2·eV-1,1 V栅偏压下的栅极漏电流为2.71×10-4A·cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学电子科学与技术系	88	358	9.0	13.0
2	邹晓	江汉大学机电与建筑工程学院	18	47	5.0	6.0