氧离子束流密度对Ta2O5薄膜的影响

• 作者: 张永爱 袁军林 赵靖 郭太良
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: Ta2O5 离子辅助镀膜 离子束流密度 化学计量比 漏电流密度
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TB43|O484
• 字数: 3707字
• 语种: 中文

摘要

利用氧离子辅助电子束蒸发沉积Ta2O5薄膜,在dd定氧离子能量的条件下研究了氧离子束流密度对Ta2O5薄膜的微观结构、化学计量比和漏电流密度的影响.利用原子力显微镜和X射线衍射仪对Ta2O5薄膜微观结构进行表征研究,发现随着离子束流密度增大,沉积的Ta2O5薄膜致密性提高,粗糙度下降,但薄膜一直保持非晶态;同时能谱仪测试的结果表明,薄膜中O/Ta比例逐渐提高,直至呈现富氧状态.测量了不同薄膜样品的漏电流密度和击穿场强,发现随着离子束流密度增大,薄膜漏电流密度显著降低,击穿场强提高.总之,提高氧离子束流密度能够明显改善Ta2O5薄膜的微观结构和电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭太良	福州大学物理与信息工程学院	302	1102	15.0	21.0
2	张永爱	福州大学物理与信息工程学院	57	199	8.0	11.0
3	袁军林	福州大学物理与信息工程学院	6	15	3.0	3.0
4	赵靖	福州大学物理与信息工程学院	2	6	1.0	2.0