超短脉冲激光对硅膜的热力效应分析

• 作者: 宿伟 郭春凤 齐文宗
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 超快热弹模型 有限差分法 热电子崩力 热应力
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 激光技术与应用
• 页码范围: 21-25
• 页数: 5页
• 分类号: O437
• 字数: 2682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3392.2009.06.006

摘要

为了研究超短脉冲激光辐照下半导体材料的热力效应,在热电子崩力和自洽场两种模型的基础上,得到了完全耦合的非线性热弹方程组.在单轴应力条件下,采用有限差分法,讨论了不同脉宽的超短脉冲激光辐照下,硅膜内栽流子温度、晶格温度、热应力以及热电子崩力随时间及膜深度的变化情况.结果表明,脉冲宽度对硅膜的热力损伤过程起重要作用.能量密度一定时,载流子和晶格达到热平衡所需时间随脉冲宽度的增加而增加;热电子崩力呈现明显的双峰结构,同时脉冲宽度对第二个峰值的影响较大;脉宽越窄,热应力的峰值越大,越容易对材料造成损伤,为激光加工和光电器件的损伤提供了理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宿伟	四川大学电子信息学院	5	17	2.0	4.0
2	齐文宗	四川大学电子信息学院	30	289	12.0	15.0
3	郭春凤	四川大学电子信息学院	5	55	3.0	5.0