卢瑟福背散射谱和红外干涉反射谱研究冷注入锗离子

• 作者: 王敬欣 肖清华
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 化学
• 关键词: 硅 锗 冷注入 损伤 卢瑟福背散射谱 红外干涉反射谱
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 879-883
• 页数: 5页
• 分类号: O613.72
• 字数: 3190字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.023

摘要

主要研究锗离子在77 K温度下的冷注入对单晶硅片表面的预非晶化效果, 并与室温注入情形予以对比. 卢瑟福背散射谱(RBS)和红外干涉反射谱被用于对非晶层的研究. 实验表明, 冷注入要比室温注入的退沟道效应更为显著, 反射率降低更为明显, 意味着引入的损伤更为严重, 更容易使硅单晶非晶化. 而且, 冷注入产生的最大损伤峰比室温注入的位于更深的位置, 相应的非晶层/硅单晶衬底界面有更深的推入. 结果还表明, 同样的注入温度下, 剂量越大, 损伤越严重.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖清华		9	78	3.0	8.0
2	王敬欣		8	154	7.0	8.0