分子束外延HgCdTe薄膜的CdTe缓冲层特性研究

• 作者: 唐利斌 孔令德 宋立媛 李艳辉 陈雪梅
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 CdTe缓冲层 位错密度
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 628-630,633
• 页数: 4页
• 分类号: TN213
• 字数: 2090字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.11.003

摘要

CdTe是GaAs衬底上分子束外延(MBE)HgCdTe薄膜时的缓冲层,引入缓冲层的目的是减小失配位错,CdTe缓冲层的生长直接影响到后续HgCdTe薄膜的制备质量,然而目前现有文献鲜有报道CdTe缓冲层的最佳厚度.采用X射线双晶衍射、位错腐蚀坑密度(EPD)、FT-IR和椭圆偏振光谱的方法,从CdTe缓冲层厚度对位错密度的影响入手,分析并确定了理想的CdTe缓冲层厚度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈雪梅		12	42	3.0	5.0
2	唐利斌		60	279	10.0	12.0
3	孔令德		12	37	4.0	4.0
4	宋立媛		10	39	3.0	5.0
5	李艳辉		14	24	3.0	4.0