改性3-氨丙基三甲氧基硅烷对聚酰亚胺/二氧化硅复合薄膜性能的影响

• 作者: 周宏 李德明 王晓琳 范勇
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺薄膜 二氧化硅 APTMOS
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: TM215.3|TQ323.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2009.02.012

摘要

用正硅酸乙酯(TEOS)和改性3-氨丙基三甲氧基硅烷(APTMOS)作为无机前驱体,采用溶胶-凝胶法制备了聚酰亚胺/二氧化硅(PI/SiO2)复合薄膜.采用傅立叶变换红外光谱(FT-IR),扫描电子显微镜(SEM)和热重分析(TGA)对PI/SiO2纳米复合薄膜进行了表征,讨论了改性APTMOS的加入对PI/SiO2复合薄膜结构和耐电晕性能的影响.结果表明,改性APTMOS的加入明显降低了SiOO2粒子的团聚,并提高了PI/SiO2纳米复合薄膜的耐电晕性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范勇	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	70	539	13.0	18.0
2	周宏	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	20	127	7.0	10.0
3	王晓琳	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	3	9	2.0	3.0
4	李德明	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0