Cu/In原子比及硫化温度对于CuInS2薄膜性能影响

• 作者: 庄大明 张弓 杨宇
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能电池 CIS薄膜 硫化温度 Cu/In原子比
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TK513.5
• 字数: 2436字
• 语种: 中文

摘要

采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜,采用固态硫化法制备获得了CuInS2(CIS)吸收层薄膜.考察了预制膜Cu/In原子比及硫化温度对于CIS薄膜结构及禁带宽度影响.通过XRD及Raman光谱分析了薄膜结构,通过近红外透过曲线得出薄膜禁带宽度.结果表明,随着预制膜中Cu与In原子比(Cu/In)及硫化温度不断升高,薄膜CuAu(CA)相含量逐渐降低,黄铜矿(CH)相逐渐升高,薄膜结晶性逐渐改善.600℃以上硫化时薄膜中主要存在CH相CuInS2.薄膜禁带宽度随着预制膜中Cu/In原子比及硫化温度不断升高而升高,Cu/In原子比为1.05,硫化温度为500℃时薄膜禁带宽度可达1.40eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张弓	清华大学机械工程系	81	914	16.0	27.0
2	庄大明	清华大学机械工程系	104	1374	22.0	32.0
3	杨宇	清华大学机械工程系	16	99	6.0	9.0