沟槽深度对UMOS功率器件电学性能的影响

• 作者: 华光平 周嘉 张金英 纪新明 黄宜平
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率 U形多晶硅栅金属氧化物半导体 沟槽深度 击穿电压 良率
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 506-510
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文

摘要

采用0.35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件,芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联,以获得高的击穿电压和大的工作电流.研究发现,沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响,且最终影响量产中的良率.实验表明,在相同的工艺条件下,沟槽深度为1.65μm(试验范围为1.60～1.95μm)时,Φ200 mm 晶片的良率可达98%以上,器件导通电阻约8.2 mΩ,源漏击穿电压稳定在34 V以上,正常工作电流可达5 A,开启电压和漏电流也稳定在要求范围内.