曲古菌素A处理HeLa细胞对其培养基的吸收光谱影响

• 作者: 张凤秋 杨战国 齐健
• 来源期刊: 激光杂志
• 学科: 工学
• 关键词: TSA HeLa细胞 RPMI1640培养基 紫外吸收光谱
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 激光应用与系统
• 页码范围: 63-64
• 页数: 2页
• 分类号: TN248.1
• 字数: 3074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0253-2743.2009.06.027

摘要

本研究采集了不同剂量曲古菌素A(TSA)分别处埋24h和48h下的人宫颈癌细胞株(HeLa cell)的培养基RPMI1640的紫外吸收光谱.结果显示:细胞培养基分别在233nm和275nm处有特征性的吸收峰.数据的进一步分析发现:不同剂量的TSA在处理细胞时间一致时,培养基的吸收光谱存在明显的差别.即:1)当TSA处理细胞24小时,伴随着用药剂量的增大,细胞培养基在233nm处的吸收值先降后升,275nm处的吸收值同样先降后升:2)当TSA处理细胞48小时,伴随着用药剂量的增大,细胞培养基在233nm处的吸收值越来越低,275nm处的吸收值却越来越高.这一结果反映了培养基中芳香族氨基酸和半胱氨酸残基的含量及比例变化,其变化规律与药物引起细胞的增殖改变有着密切的联系,并为动物实验和临床应用奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张凤秋	郑州大学物理工程学院	24	78	5.0	8.0
2	齐健	郑州大学物理工程学院	10	25	3.0	4.0
3	杨战国	郑州大学物理工程学院	7	10	1.0	3.0