掺硼纳米非晶硅的太阳能电池窗口层应用研究

• 作者: 张溪文 李喆 韩高荣
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积 纳米非晶硅 硼掺杂 掺杂比 光学带隙
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 119-124
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3209字
• 语种: 中文

摘要

本文通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积p型纳米非晶硅薄膜(na-si:H),系统地研究了掺杂气体比(B2H6/SIH4)、沉积温度、射频电源功率对薄膜结构、光学、电学性能的影响.研究表明,轻掺硼有利于非晶硅薄膜晶化,但随着掺硼量的增加,硼的"毒化"作用又使薄膜变为非晶态;与p型a_si:H相比,掺硼纳米硅薄膜的光学带隙Eopt较高,电导率较高,电导激活能较低,是一种很有潜力的太阳能电池窗口层材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩高荣	浙江大学硅材料国家重点实验室	187	1971	24.0	35.0
2	张溪文	浙江大学硅材料国家重点实验室	43	309	11.0	16.0
3	李喆	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	13	2.0	2.0