GaN纳米棒的制备及机理研究

• 作者: 何海平 叶志镇 姜静 杨志祥 王敬蕊 胡少华 马全宝
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ni催化 GaN纳米棒 生长机制
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|O484
• 字数: 2425字
• 语种: 中文

摘要

本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒.测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构.通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS机制的控制,而是多种生长方式共同作用的结果.在反应的初期,GaN纳米棒的生长遵从VLS机制;但是随着GaN纳米棒轴向和径向的生长,GaN纳米结构中纳米棒端部的Ni催化剂纳米球会被"挤"出顶部,在较大的气流流速下被吹落至衬底上,失去催化剂诱导作用的纳米棒随后自行外延生长;而吹落至衬底上的Ni催化剂纳米球成为第二次生长有利的形核位置,且再次生长出粗短的纳米棒.因此不同生长机制得到的GaN纳米棒交织在一起,形成了最终的GaN纳米结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	何海平	浙江大学硅材料国家重点实验室	19	71	5.0	7.0
3	杨志祥	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	21	3.0	3.0
4	胡少华	浙江大学硅材料国家重点实验室	13	93	4.0	9.0
5	马全宝	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	22	2.0	3.0
6	王敬蕊	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	16	2.0	4.0
7	姜静	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	8	1.0	1.0