原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
硅片上互连线几何变异提取对于超深亚微米工艺节点下集成电路可制造性设计研究开发极其关键.这里基于电阻和电容等电学测试结构相应的数学计算公式,阐述进行互连线几何变异提取的方法,分析所采用的测试结构与计算公式的可行性,讨论误差来源,提出仿真工作与测试芯片设计原则.目的在于解决工艺建模与寄生参数建模过程中电阻和电容变异之间紧密的空间相关性,从而易于建立用于集成电路参数成品率评估计算的可制造性设计模型.
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文献信息
篇名 超深亚微米集成电路互连线几何变异提取方法
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 互连线 几何变异提取 可制造性设计 参数成品率 测试结构
年,卷(期) 2009,(16) 所属期刊栏目 集成电路设计
研究方向 页码范围 22-24
页数 3页 分类号 TN710
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.16.007
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶兵 68 299 10.0 15.0
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研究主题发展历程
节点文献
互连线
几何变异提取
可制造性设计
参数成品率
测试结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
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135074
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