阻变存储器及其集成技术研究进展

• 作者: 刘明 刘琦 左青云 张森 李颖弢 王琴 王艳 胡媛 龙世兵
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 非挥发性存储器 阻变存储器 电阻转变
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 546-551
• 页数: 6页
• 分类号: TP333.5
• 字数: 4640字
• 语种: 中文

摘要

在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力.介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及制备工艺,对RRAM阵列的集成方案进行了比较,并讨论了目前存在的问题;最后,对RRAM的研究趋势进行了展望.