掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce3+薄膜发光性能的影响

• 作者: 巴德纯 廖国进 闫绍峰 闻立时 骆红
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 三氧化二铝薄膜 中频反应磁控溅射 掺杂浓度 光致发光 Ce
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 33-37
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 2576字
• 语种: 中文

摘要

应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90分钟的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能.通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+.Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	巴德纯	东北大学机械工程与自动化学院	250	1491	18.0	22.0
2	闫绍峰	辽宁工业大学机械工程与自动化学院	55	164	8.0	10.0
3	闻立时	中国科学院金属研究所表面工程部	117	1859	24.0	36.0
4	廖国进	辽宁工业大学机械工程与自动化学院	38	114	6.0	9.0
5	骆红		4	17	2.0	4.0