SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善

• 作者: 刘峥嵘 唐军 孙柏 康朝阳 徐彭寿 谢家纯 赵朝阳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 Si(111)衬底 SiC缓冲层 光电性能
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 807-811
• 页数: 5页
• 分类号: O472|O482.31
• 字数: 2827字
• 语种: 中文

摘要

用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了ZnO/SiC/Si和 ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器.利用X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱,I-V曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光电性能进行了研究.实验结果表明:SiC缓冲层改善了ZnO薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少ZnO与Si 之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
2	康朝阳	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	13	59	5.0	7.0
3	孙柏	中国科学院合肥智能机械研究所	41	465	13.0	20.0
4	唐军	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	19	349	7.0	18.0
5	谢家纯	中国科学技术大学物理系	16	181	8.0	13.0
6	赵朝阳	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	6	106	4.0	6.0
7	刘峥嵘	中国科学技术大学物理系	2	11	2.0	2.0