一种锑注入剂量的监测方法

• 作者: 程秀兰 郑刚
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 锑 注入 热退火 低温 方块电阻
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 2279字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.05.010

摘要

随着近年来液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸,高压LCD驱动日渐受到市场的关注.该产品生产中采用了埋层注入和外延工艺,作为N型搀杂的锑注入其工艺稳定性直接影响了外延层的位错/层错缺陷.原先的锑注入监测工艺周期时间长成本高,为了寻求一种更适用于量产的监测方法,文章对锑工艺区别于其他N型注入工艺监测的原因做了进一步分析,提出了一种改进的监测方法,通过低温快速热退火实现了短周期,剂量敏感且具有良好重复性,易于量产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0