电镀铜薄膜界面结合强度及氧化性能的研究

• 作者: 余凤斌 夏祥华 朱德明
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 电镀 结合强度 氧化
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 63-65,69
• 页数: 4页
• 分类号: TQL53.1+4|TM205.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2009.01.017

摘要

镀层与基体的结合强度是衡量镀层与基体表面结合牢固程度的重要指标,也是其各项性能得以实现的重要前提.采用电镀方法在PI膜上制备了铜(Cu)薄膜,并研究了工艺参数与结合强度的关系.同时,依据Cu薄膜方块电阻随氧化时间的变化情况,得到氧化产物厚度与氧化时间的关系.结果表明:镀层结合强度随着电流密度、温度及pH值的增大均先增加而后逐步减小.在低温下铜薄膜的氧化符合指数规律,高温下符合线性规律,温度越高,铜的氧化速率越快.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余凤斌		19	153	7.0	11.0
2	夏祥华		11	90	5.0	9.0
3	朱德明		3	13	2.0	3.0