共沉淀法制备ZnO压敏电阻复合添加剂

• 作者: 孟锡俊 张虎 曹全喜 王旭明
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏电阻器 共沉淀 添加刺
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 78-80,83
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 3149字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.05.025

摘要

利用化学共沉淀法制备zn0压敏电阻器复合添加剂,讨论了新方法对ZnO压敏电阻器电学性能的影响.实验结果证明,合理的共沉淀配方.可以显著提高ZnO压敏电阻器的8/20μs通流能力以及2ms能量耐量值,并且对小电流性能也有部分提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹全喜	西安电子科技大学技术物理学院	92	638	13.0	21.0
2	王旭明	西安电子科技大学技术物理学院	2	7	1.0	2.0
3	孟锡俊	西安电子科技大学技术物理学院	3	24	3.0	3.0
4	张虎	西安电子科技大学技术物理学院	4	13	3.0	3.0