一种非对称双原子分子的电子位移极化率计算模型

• 作者: 吴锴 成永红 陈小林
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 电子位移极化率 偶极矩 宏观电场
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 90-94
• 页数: 5页
• 分类号: TM281
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2009.04.021

摘要

分析了经典的电子位移极化率的计算模型,指出了这些经典模型在计算非对称双原子分子模型时存在局限性,提出了一种针对非对称双原子分子的电子位移极化率的计算模型.该模型考虑了分子内原子偶极矩对电子位移极化的影响,推导了宏观电场与分子轴平行、垂直、呈任意夹角等典型情况下的非对称双原子分子的电子位移极化率的数学模型.根据该模型计算了六方氮化硼(h-BN)晶体的电子位移极化率,并与经典模型的计算结果进行了比较,进一步分析了所提出模型的适用范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成永红	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	78	1073	18.0	27.0
2	吴锴	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	71	1014	20.0	28.0
3	陈小林	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	28	362	12.0	17.0