NEA GaN和GaAs光电阴极激活机理对比研究

• 作者: 乔建良 常本康 杨智 牛军 邹继军
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: NEA GaN GaAs 激活 双偶极层模型
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 115-118
• 页数: 4页
• 分类号: TN219
• 字数: 3562字
• 语种: 中文

摘要

本文结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型,研究了NEA CaN和GaAs光电阴极激活机理的异同.实验表明:NEA CaN激活过程中光电流不象GaAs那样按近似指数规律的包络慢速循环上升,而是在约1min之内就可达到峰值,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大,NEA特性仅在Cs激活时即可获得.GaAs光电阴极激活过程中O的引入是获得NEA特性的必要条件,也是真空能级下降的重要转折点,O引入后光电流幅值有较大幅度的增长.采用双偶极层模型可以解释GaN和GeAs光电阴极Cs/O激活后表面势垒的降低,但偶极层在降低表面势垒的程度方面有较大差异,CaN光电阴极降得更低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	邹继军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	24	279	11.0	15.0
3	杨智	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	157	8.0	12.0
4	乔建良	南京理工大学电子工程与光电技术学院	26	177	9.0	11.0
8	牛军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	28	111	6.0	9.0