Al箔溅射沉积Cu膜的工艺研究

• 作者: 李海凤 牛玉超 王志刚 王献忠 苏超
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电磁屏蔽 磁控溅射 Al箔 Cu膜 负偏压 结合力
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺研究
• 页码范围: 49-51
• 页数: 3页
• 分类号: TG174.444|TB34
• 字数: 2346字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2009.02.017

摘要

为了研究溅射工艺对膜-基间结合力的影响,获得成本较低、膜-基间结合较好的表层导电薄膜电磁屏蔽材料,利用磁控溅射镀膜方法在Al箔基体上溅射沉积Cu膜,采用胶粘带拉剥法测试了膜-基间的结合力,使用扫描电子显微镜观察了Cu膜的组织和Al/Cu的界面形貌.结果表明:溅射工艺对膜-基间的结合力有着明显的影响,镀Cu前对Al箔进行反溅射和在溅射沉积过程中对工件施加负偏压都可有效地提高膜-基间的结合力.分析认为:镀Cu前反溅射可有效地去除Al箔表面的氧化膜,使Al箔表面得到净化;在磁控溅射沉积过程中对工件施加较高负偏压将产生辉光放电,使工艺转化成溅射离子镀,从而获得与基体结合良好、晶粒细小、致密的镀层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛玉超	山东建筑大学材料科学与工程学院	30	192	8.0	12.0
2	王献忠	山东建筑大学材料科学与工程学院	20	90	6.0	8.0
3	王志刚	山东建筑大学材料科学与工程学院	29	181	8.0	12.0
4	苏超	山东建筑大学材料科学与工程学院	3	36	3.0	3.0
5	李海凤	山东建筑大学材料科学与工程学院	3	36	3.0	3.0