纳秒脉冲真空绝缘沿面闪络机理研究

• 作者: 王志华 高巍
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 纳秒 真空 闪络 阴极三结合点 二次电子崩
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: TM85
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2009.01.012

摘要

汇总了纳秒脉冲真空绝缘沿面闪络实验研究结果,实验表明,不同电压波形作用下闪络场强存在较大差异.纳秒脉冲闪络场强显著高于其它电压波形.分析认为纳秒脉冲闪络是一个不断向平衡状态逼近的过程,基于电子激励解吸附原理的二次电子崩理论(SEEA)适用于分析纳秒脉冲真空闪络问题.在纳秒脉冲闪络发生的微观过程中,阴极三结合点场致电子发射是真空闪络发生的必要条件,二次电子崩过程是闪络发展的必备环节.闪络过程在绝缘体表面脱附气体层中完成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志华		4	8	2.0	2.0
2	高巍		3	8	2.0	2.0