SOI单元库版图优化研究

• 作者: 张雍蓉 徐大为 戴昌梅 陈慧蓉
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 单元版图 版图优化
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 31-33
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1094字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.08.008

摘要

文章对版图优化方法进行了研究,给出了几种版图优化的方法.通过研究发现,对于体硅而言要提高单元速度主要是通过减小源漏面积来实现;而对于SOI单元要提高速度只能通过减小单元的源漏周长来实现.通过仿真对比普通结构栅、叉指结构栅和环形结构栅的组成的反向器环振周期,可以发现采用叉指结构和环形栅结构不仅能有效减小单元面积,并且能通过减小源漏周长提高单元速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐大为	中国电子科技集团公司第五十八研究所	5	13	2.0	3.0
2	戴昌梅	中国电子科技集团公司第五十八研究所	2	8	2.0	2.0
3	陈慧蓉	中国电子科技集团公司第五十八研究所	2	6	1.0	2.0
4	张雍蓉	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	5	1.0	1.0