电子束蒸发制备PbI_2薄膜及其性能表征

• 作者: 朱世富 朱兴华 杨定宇 杨维清 赵北君 魏昭荣
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: PbI2薄膜 电子束蒸发 XRD分析 SEM形貌 UV光谱测试
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 700-702,707
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文

摘要

采用电子束蒸发工艺在普通玻璃衬底上制备了PbI_2多晶薄膜,研究了不同衬底温度对薄膜结构、表面形貌及紫外-可见光谱的影响.XRD结构表征显示,不同衬底温度下沉积的PbI_2薄膜均属六方结构,低温下呈现(002)方向的c轴择优生长,但随着衬底温度的升高,择优生长弱化;SEM形貌分析结果表明,PbI_2薄膜的晶粒尺寸随着衬底温度的升高而增大,同时晶粒间应力造成的突起减少,薄膜表面致密度和平整度提高;UV光谱测试结果表明,不同衬底温度下制备PbI_2薄膜透过光谱的吸收限均在515nm附近,且呈现陡直的吸收边.计算发现,薄膜禁带宽度约为2.42 eV,随着衬底温度升高而略微增大,显示结晶质量提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学与工程学院	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学与工程学院	132	744	14.0	19.0
3	朱兴华	成都信息工程学院光电技术系	32	98	6.0	7.0
4	杨定宇	成都信息工程学院光电技术系	39	148	6.0	9.0
5	杨维清	成都信息工程学院光电技术系	9	16	3.0	3.0
6	魏昭荣	成都信息工程学院光电技术系	16	39	3.0	5.0