定向ZnO纳米钉阵列的制备及生长机理

• 作者: 冯程程 吴春霞 周明 李刚 蔡兰 马伟伟
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米钉 ZnO纳米阵列 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 717-721
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2423字
• 语种: 中文

摘要

在550 ℃下,采用化学气相沉积(CVD)法在镀Au(10 nm)的Si(100)衬底上,制备了ZnO一维纳米钉阵列结构.X射线衍射(XRD)谱图中只显示了(002)衍射峰,其半峰全宽为0.166°,表明制备的纳米钉阵列具有高度c轴择优生长取向的特点和较高的结晶质量,高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和选区电子衍射图(SAED)谱的结果表明所得到的单根纳米钉为沿(002)生长的单晶结构;同时,对一维纳米钉阵列的生长机理进行了分析.结果表明:由于Si与ZnO之间大的晶格失配度,首先在Si表面沉积一层富Zn的ZnOx薄膜缓冲层,然后通过VLS机理中的底端生长模式生长成为纳米钉阵列结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周明	江苏大学光子制造科学与技术江苏省重点实验室	105	1124	19.0	29.0
2	吴春霞	江苏大学光子制造科学与技术江苏省重点实验室	14	77	6.0	8.0
3	冯程程	江苏大学光子制造科学与技术江苏省重点实验室	4	26	3.0	4.0
4	李刚	江苏大学光子制造科学与技术江苏省重点实验室	16	101	7.0	9.0
5	马伟伟	江苏大学光子制造科学与技术江苏省重点实验室	6	31	4.0	5.0
6	蔡兰	江苏大学光子制造科学与技术江苏省重点实验室	124	1736	24.0	35.0