氧化物缓冲层制备Si(111)基GaN纳米线

• 作者: 孙海波 曹玉萍 石锋 薛成山
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 硅衬底 磁控溅射 纳米结构 缓冲层
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 595-598,620
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23|TN383
• 字数: 2566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.10.004

摘要

采用氧化物缓冲层,通过射频磁控溅射系统依次在n型Si(111)衬底上沉积Ga2O3/ZnO(Ga2O3/MgO)薄膜,然后将薄膜于950℃氨化合成GaN纳米结构,氨化时间为15 min.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品的结构进行了分析,结果显示两种缓冲层下制备的样品均为六方纤锌矿单晶GaN纳米结构,且缓冲层的取向对纳米线的生长方向有很大影响;采用扫描电镜(SEM)对样品的形貌进行了测试,发现纳米线表面光滑,长度可达几十微米,表明采用氧化物缓冲层制备了高质量的GaN线.同时对GaN纳米线的生长机理进行了简单讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石锋	山东师范大学半导体研究所	31	83	5.0	6.0
2	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
3	孙海波	山东师范大学半导体研究所	19	104	6.0	9.0
4	曹玉萍	山东师范大学半导体研究所	9	63	5.0	7.0