4英寸VGF GaAs单晶生长的数值模拟与实验研究

• 作者: 丁国强 屠海令 张峰燚 涂凡 苏小平
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 单晶 数值模拟 垂直梯度凝固
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 211-216
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2999字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.02.015

摘要

利用数值模拟和实验相结合的方法,研究了4英寸VGF GaAs单晶的生长.首先基于炉体结构和所采用材料,建立一个和真实单晶生长系统接近的炉体模型.根据此模型,采用晶体生长模拟软件CrysMas计算得到整个炉体内的温度分布、晶体及熔体的温度梯度、界面位置等.通过对单晶生长不同时间点的模拟,制定了一套单晶的生长工艺.然后,严格遵循此工艺进行单晶生长实验.通过对实验和模拟结果的对比分析,建立了实验和数值模拟之间的联系,为进一步利用数值模拟指导晶体的实际生长提供了依据.最后,利用数值模拟研究了单晶生长中"边界效应",探讨了晶体生长过程中产生多晶的原因.