二氧化硅在真空低价法制备铝过程中的歧化行为研究

• 作者: 刘永成 周小奎 戴永年 朱冬梅 李秋霞
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 真空冶金 歧化 二氧化硅 硅
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 35-37
• 页数: 3页
• 分类号: TF131|TF8
• 字数: 2131字
• 语种: 中文

摘要

本文引入"物质吉布斯自由能函数法"讨论在低价氟化法制备铝过程中,二氧化硅在不同压力和温度下生成低价氧化硅及其分解的热力学条件并进行了实验验证.研究得出:在100kPa时,二氧化硅与还原剂碳反应在1937K以上才能生成低价氧化硅;而当系统残余压力在100Pa～10Pa内时,在1463K～1352K以上即可以生成低价氧化硅;体系压力在100Pa～10Pa范围内,即低价氧化硅歧化分解温度在1535K～1415K间进行.实验结论:采用真空碳热还原铝土矿实验,在系统压力为150Pa,反应温度为1450℃时,得到含硅为4.87%的金属铝,铝纯度达到95.13%.实验验证了理论研究的正确性,为生产工艺的研究提供了热力学理论依据和实验基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴永年		225	2103	22.0	33.0
2	李秋霞	云南师范大学化学化工学院	21	108	7.0	9.0
6	刘永成		20	120	7.0	10.0
7	周小奎		2	12	1.0	2.0
8	朱冬梅	云南师范大学化学化工学院	1	12	1.0	1.0