Si中30°部分位错和单空位相互作用的分子动力学模拟

• 作者: 孟庆元 王云涛 王超营
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si,30°部分位错 单空位 分子动力学 弯结
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 400-404
• 页数: 5页
• 分类号: O411.3|O77
• 字数: 2922字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2009.04.004

摘要

利用基于Stillinger-Weber(SW)势函数的分于动力学方法分析了Si中30°部分位错和单空位(V1)的相互作用.不同温度,剪应力作用下的计算结果表明,在温度恒定条件下,剪应力较小时,V1对位错有钉扎作用;当施加的剪应力达到临界剪应力时,位错脱离V1的钉扎继续运动,并且将V1遗留在晶体中;随温度的升高,临界剪应力近似线性下降.通过不含V1和含有V1的模型中位错芯位置的对比后发现,V1对滑过它的30°部分位错有明显的加速作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟庆元	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	21	87	6.0	7.0
2	王云涛	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	12	29	3.0	5.0
3	王超营	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	6	18	3.0	4.0