433 MHz低功耗CMOS LNA的噪声优化与实现

• 作者: 吴秀山 李智群 李青 王志功
• 来源期刊: 东南大学学报（英文版）
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 共源共栅 低功耗 噪声系数 噪声优化
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TN924
• 字数: 1013字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2009.01.003

摘要

采用0.18μm SMIC数模混合与射频(RF)CMOS工艺实现了一个应用于ISM(工业、科学和医疗)频段接收机的433 MHz低功耗低噪声放大器(LNA)的设计.电路通过调节源级反馈电感和在LNA输入晶体管上并联电容的方法实现了最优的噪声性能.测试结果表明,LNA在431 MHz处的噪声系数为2.4 dB,S21=16 dB,S11=-11 dB,S22=-9 dB,反向隔离度大于35 dB.测量的1-dB压缩点(P1dB)和输入三阶交调(ⅡP3)分别为-13dBm和-3 dBm.芯片面积为0.55 mm×1.2 mm,在1.8 V供电时整个电路功耗仅4 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	李智群	东南大学射频与光电集成电路研究所	76	576	10.0	20.0
3	李青	中国计量学院机电工程学院	87	619	10.0	23.0
4	吴秀山	东南大学射频与光电集成电路研究所	29	106	5.0	8.0