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摘要:
分别以硒脲和硒粉为Se2-制备剂的主要原料,用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜.对所制备薄膜用形貌、XRD、TEM和红外透射谱等方法进行表征分析.两种制备方法均获得了结晶度良好的PbSe多晶薄膜.以硒粉所制备PbSe膜颗粒度为1 μm,以硒脲所制备的薄膜颗粒度为0.3μm,小颗粒薄膜出现红外吸收限蓝移现象.测得由所制备的薄膜得到PbSe光导型探测器原型器件的电压响应率为1200V/W.
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文献信息
篇名 化学浴沉积PbSe多晶薄膜及其光电性能初探
来源期刊 红外技术 学科 工学
关键词 硒化铅 化学浴沉积 多晶薄膜 光电性能
年,卷(期) 2009,(10) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 610-613
页数 4页 分类号 TN213
字数 2674字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.10.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 司俊杰 33 160 7.0 11.0
2 姚官生 8 26 3.0 4.0
3 陈凤金 14 38 4.0 5.0
4 张庆军 5 24 3.0 4.0
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化学浴沉积
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红外技术
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昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
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