低功率刻蚀工艺均匀度研究

• 作者: 季高明 李海华
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 干法刻蚀 等离子体 均匀度 氧气
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2579字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.08.019

摘要

在二氧化硅刻蚀工艺中,有时为了控制氧化膜的损伤,需要采用低功率刻蚀工艺.文中研究了在低射频功率条件下,通过改变磁场强度、暖机条件及反应气体的组成,对刻蚀均匀度的影响.实验结果表明,在低功率条件下,改变磁场强度和暖机条件对刻蚀均匀度的改变有限,但当向主刻蚀气体中加入氧气后,能较大程度地改变刻蚀均匀度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李海华	上海交通大学微纳科学技术研究院	10	11	2.0	3.0
2	季高明	上海交通大学微电子学院	1	3	1.0	1.0