室温制备P型透明导电CuO:Ni薄膜的研究

• 作者: 张群 施展 李桂锋 杨铭 王颖华
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 透明导电氧化物 P型半导体 脉冲等离子体沉积
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4|TB43
• 字数: 3071字
• 语种: 中文

摘要

在自主研发的一系列P型导电Cu1-xNixO靶材基础上,选择具有最佳电导率的Cu0.95Ni0.05O靶材,采用脉冲等离子体沉积技术在室温条件下普通玻璃衬底上制备了Cu0.95Ni0.05O透明导电薄膜.Seebeck系数测试表明所有薄膜均为P型导电.通过x射线衍射和扫描电子显微镜分别研究了薄膜的品格结构和表面形貌,证实了所制备薄膜均为非晶结构.研究了氧气压强、脉冲电压和脉冲电流等成膜条件对薄膜电学性能和光学性能的影响.在氧气压强为3.0 Pa,脉冲电压为-18 kV,脉冲电流为4.5 mA条件下,获得了电导率最大值7.1 S·cm-1,可见光区域的平均透射率为65%,光学禁带宽度为4.3 eV的光电性能相对优良的P型透明导电薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张群	复旦大学材料科学系	110	917	15.0	24.0
2	李桂锋	复旦大学材料科学系	7	25	3.0	4.0
3	王颖华	复旦大学材料科学系	4	16	2.0	4.0
4	杨铭	复旦大学材料科学系	15	116	5.0	10.0
5	施展	复旦大学材料科学系	10	32	4.0	5.0