ZnO纳米线的制备及场发射特性的研究进展

• 作者: 王属霞 贺叶露 陈伟中
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO纳米线 催化剂 场发射
• 年，卷（期）: 2009,（19）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 20-23,27
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 字数: 5624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.19.005

摘要

从ZnO纳米线的生长机制出发,重点讨论了催化剂在制备过程中的作用,比较了采用VLS和VS不同机制生长ZnO纳米线的优缺点,并结合二者特点发现采用金属自催化将是制备高质量ZnO纳米线阵列的一种有效方法.分析了几种有利于提高其场发射性能的后处理方法,经过适当的后处理ZnO纳米线晶体的结构将更加完善,场发射开启场、阈值场将进一步降低,电流密度和场增强因子也将随之大大提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟中	重庆大学数理学院应用物理系	3	8	2.0	2.0
2	王属霞	重庆大学数理学院应用物理系	1	2	1.0	1.0
3	贺叶露	重庆大学数理学院应用物理系	4	10	2.0	3.0