靶压对磁控溅射GeC薄膜折射率的影响

• 作者: 何光宗 吴小丽 李钱陶 熊长新
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 靶压 GeC薄膜 磁控溅射 折射率
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 光学薄膜
• 页码范围: 27-29
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4+1
• 字数: 2019字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3392.2009.04.007

摘要

采用磁控溅射技术,以碳氢气体和氩气为工作气体,在Ge基底上制备了GeC薄膜.研究了靶压对薄膜折射率的影响,发现在较高的靶压下制备的GeC薄膜具有较低的折射率,而在较低的靶压下则得到了高折射率的薄膜.通过控制溅射靶压,制备了折射率在2.5～3.8之间可变的GeC薄膜.利用拉曼光谱研究了GeC薄膜的结构.薄膜样品的硬度测试表明,较低折射率的GeC薄膜具有较高的硬度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊长新	华中光电技术研究所一武汉光电国家实验室	11	60	4.0	7.0
2	李钱陶	华中光电技术研究所一武汉光电国家实验室	9	49	4.0	6.0
3	何光宗	华中光电技术研究所一武汉光电国家实验室	4	14	2.0	3.0
4	吴小丽	华中光电技术研究所一武汉光电国家实验室	2	4	2.0	2.0