多层膜CIA预制层后硒化法制备Cu(In1-xAlx)Se2薄膜的研究

• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: Cu(In1-xAlx)Se2薄膜 硒化 Al/(In+Al)
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 51-54
• 页数: 4页
• 分类号: TM615
• 字数: 3352字
• 语种: 中文

摘要

本文用真空蒸发法在玻璃衬底上蒸镀Cu-In-Al多层膜,后采用真空硒化退火获得Al含量不同的Cu(In1-xAlx)Se2多晶薄膜.通过SEM和XRD微观形貌结构分析发现,薄膜中Al的含量对薄膜的表面形貌和结构有一定影响.Al/(In+Al)比例越大,越容易获得尺寸较小、分布比较均匀的晶粒.同时Al含量对薄膜的方阻有一定的影响,Al含量越高,方阻越大.而且Al含量的多少可以调节薄膜的禁带宽度的大小.