盖革模式下反偏压对雪崩光电二极管贯穿特性的影响

• 作者: 廖常俊 郭健平 魏正军
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单光子探测 盖革模式 雪崩光电二极管 贯穿深度
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 激光技术
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: TN312+.7
• 字数: 2335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3392.2009.05.003

摘要

利用无源抑制技术,研究了盖革模式下雪崩光电二极管(APD)的电流-电压特性.发现光电流和暗电流的一个显著区别是暗电流不反映贯穿特性,这是光生载流子和热载流子有不同统计分布的实验证据,也说明在盖革模式下,暗计数增加比光子探测效率增加更快的原因是由于载流子收集效率不同引起的.根据其贯穿特性适当选择盖革模式下APD的反偏压可提高单光子探测器的信噪比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏正军	华南师范大学光子信息技术重点实验室	26	194	9.0	13.0
2	廖常俊	华南师范大学光子信息技术重点实验室	92	843	15.0	23.0
3	郭健平	华南师范大学光子信息技术重点实验室	10	42	4.0	6.0