L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验

• 作者: 刘英坤 董四华 郎秀兰 黄雒光
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅微波脉冲功率晶体管 加速老化 可靠性 寿命试验 Arrhenius模型
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 494-497
• 页数: 4页
• 分类号: TN323.4|TN306
• 字数: 3113字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.05.026

摘要

Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能.以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案.采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3 GHz,Pin=40 W,TW=150 μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算.推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25 ℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106 h.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英坤	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	183	8.0	12.0
2	董四华	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	31	3.0	5.0
3	黄雒光	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	13	2.0	3.0
4	郎秀兰	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	13	2.0	3.0