InGaAsSb/InP的MBE生长及特性

• 作者: 刘国军 尤明慧 李占国 李林 李梅 王勇 王晓华 金哲军
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 锑化物 表面形貌 X射线双晶衍射
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 630-633
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2025字
• 语种: 中文

摘要

研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响.实验中利用高能电子衍射(RHHEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线双晶衍射(XRDCD)和光致发光(PL)谱等方法研究了InGaAsSb薄膜材料的表面形貌、结晶质量和发光特性.通过控制生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,获得了X射线衍射峰半峰全宽较窄的高质量的外延材料.