基于ANSYS的功率VDMOS器件的热分析及优化设计

• 作者: 刘晓为 华庆 殷景华 焦国芹
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 有限元 热分析 ANSYS 优化设计
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 354-356
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2292字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.02.030

摘要

针对TO-220 AB封装形式的功率VDMOS器件,运用有限元法建立器件的三维模型,对功率耗散条件下器件的温度场进行热学模拟和分析,研究了基板厚度、粘结层材料及粘结层厚度对器件温度分布的影响.分析结果表明,由芯片至基板的热通路是器件的主要散热途径.基板最佳厚度介于1～1.2 mm之间,且枯结层的导热系数越大、厚度越薄,越有利于器件的散热.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷景华	哈尔滨理工大学应用科学学院	74	301	9.0	12.0
2	刘晓为	哈尔滨工业大学航天学院	42	140	7.0	10.0
3	华庆	哈尔滨理工大学应用科学学院	2	16	1.0	2.0
4	焦国芹	哈尔滨理工大学应用科学学院	2	16	1.0	2.0